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    斯達新產品推薦-N6 SiC模塊

    2024.04.24

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    N6 SiC功率模塊為1200V半橋SiC MOSFET功率模塊,模塊導通電阻包含2.9mΩ、2.2mΩ、1.8mΩ等,滿足車用系統高功率密度的需求。模塊為半橋電路,內部采用多SiC芯片并聯設計,通過串聯門極電阻保證芯片均流。模塊采用低電感、高效散熱封裝設計,模塊功率回路雜散電感小于6.5nH。模塊采用環氧注塑封裝工藝,pinfin水冷散熱基板直接水冷散熱,模塊內部采用高熱導率、高可靠性的HPS和AMB散熱絕緣基板。SiC芯片采用雙面銀漿燒結及銅線鍵合連接,優先增加模塊使用壽命,模塊通過175℃ AQG-324可靠性認證,可長期工作在175℃結溫環境。

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